參數(shù)資料
型號(hào)： STB100NH02L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道24V的- 0.0052ohm -第60A條?巴基斯坦STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 405K
代理商： STB100NH02L
3/11
STB100NH02L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(1)
Garanted when external Rg=4.7
and t
< t
.
(5)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
2
) Value limited by wire bonding
(6)
Q
C
*
V
C
C
C
See Appendix A
(3)
Pulse width limited by safe operating area.
(7)
Gate charge for synchronous operation
(
4
) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 30A, V
DD
= 15V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
=30 A
V
GS
= 10 V
13
75
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
=10 V I
D
=60 A V
GS
=10 V
47.5
10
7
64
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
50
18
24.3
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
60
240
A
A
V
SD
(5)
Forward On Voltage
I
SD
= 30 A V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 60 A
V
DD
= 16 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
35
35
2
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB11NM60FDT4 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STB11NM60FD-1 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STP11NM60FDFP N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STB11NM60A-1 N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
STP11NM60FD N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB100NH02LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB101-0.421-34 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述:
STB101-0.473-31 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述:
STB101-0.525-31 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述:
STB10100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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