參數(shù)資料
型號： START420TR
廠商： 意法半導體
英文描述： NPN Silicon RF Transistor
中文描述： NPN硅射頻晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 69K
代理商： START420TR
1/7
July, 3 2002
START420
NPN Silicon RF Transistor
SOT343 (SC70)
ORDER CODE
START420TR
BRANDING
420
APPLICATIONS
LNA FOR GSM/DCS, DECT, PDC, PCS,
PCN
PREDRIVER FOR DECT
GENERAL PURPOSE 500MHz-5GHz
LOW NOISE FIGURE: NFmin = 1.05dB
@ 1.8GHz, 5mA, 2V
COMPRESSION P1dB = 12.5dBm
@ 1.8GHz, 20mA, 2V
ULTRA MINIATURE SOT343 PACKAGE
DESCRIPTION
The START420 is a member of the START family
that provide market with the state of the art of RF
silicon
process. Manufacturated in the third
generation of ST proprietary bipolar process, it
offers the best mix of gain and NF for given
breakdown voltage(BVceo).
It reaches performance level only achieved with
GaAs products before.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
ceo
Collector emitter voltage
V
cbo
Collector base voltage
V
ebo
Emitter base voltage
I
c
Collector current
I
b
Base current
P
tot
Total dissipation, T
s
=
101
T
stg
Storage temperature
Parameter
Value
4.5
15
1.5
40
4
180
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
-65 to 150
o
C
T
j
Max. operating junction temperature
150
o
C
R
thjs
Thermal Resistance Junction soldering point
270
o
C/W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
START450 NPN Silicon RF Transistor
START450TR NPN Silicon RF Transistor
STB100NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB11NM60FDT4 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
STB11NM60FD-1 N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
START450 制造商:STMicroelectronics 功能描述:RF TRANSISTOR NPN
START450TR 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START499 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR RF NPN
START499D 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF TRANSISTOR 29dBm 14dBgain 900mz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
START499ETR 功能描述:兩極晶體管 - BJT Discrete Med P AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*