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參數(shù)資料
| 型號： | SST29VF020 |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | Small-Sector Flash(小扇區(qū)閃速存儲器) |
| 中文描述： | 小部門閃光（小扇區(qū)閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 11/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 766K |
| 代理商： | SST29VF020 |
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Preliminary Specifications
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Small-Sector Flash
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
11
2002 Silicon Storage Technology, Inc.
S71160-05-000
2/02
505
AC CHARACTERISTICS
TABLE 10: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 4.5-5.5V
FOR
SST29SF
XXX
AND
2.7-3.6V
FOR
SST29VF
XXX
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
Parameter
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST29SF/VFxxx-55
Min
55
SST29SF/VFxxx-70
Min
70
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
55
55
30
70
70
35
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
20
20
25
25
0
0
T10.6 505
TABLE 11: P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 4.5-5.5V
FOR
SST29SF
XXX
AND
2.7-3.6V
FOR
SST29VF
XXX
Symbol
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH1
T
CPH1
T
DS
T
DH1
T
IDA1
T
SE
T
SCE
Parameter
Byte-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Chip-Erase
Min
Max
20
Units
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
40
0
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
150
25
100
T11.7 505
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VF040-55-4C-NHE | 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash |
| SST29VF040-55-4C-WHE | 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash |
| SST29VF040-55-4I-NHE | 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash |
| SST29VF040-55-4I-WHE | 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash |
| SST30VR022-500-C-WH | 2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29VF020-70-4C-NHE | 功能描述:閃存 2M (256Kx8) 70ns 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VF020-70-4C-WHE | 功能描述:閃存 256K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VF020-70-4I-WHE | 功能描述:閃存 2M (256Kx8) 70ns 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VF040-70-4C-NH | 功能描述:閃存 512K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VF040-70-4C-NHE | 功能描述:閃存 512K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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