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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SMC9-65608EV-45SB |
| 廠商： | TEMIC SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, DIP32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | SMC9-65608EV-45SB |
M65608E
Rev. E – June 5, 2000
5
Timing
Data Retention Characteristics
PARAMETER
DESCRIPTION
MINIMUM
TYPICAL
TA = 25 _C
MAXIMUM
UNIT
VCCDR
Vcc for data retention
2.0
–
V
TCDR
Chip deselect to data retention time
0.0
–
ns
TR
Operation recovery time
TAVAV (9)
–
ns
ICCDR1 (10)
Data retention current @ 2.0 V
–
0.1
150
A
ICCDR2 (10)
Data retention current @ 3.0 V
–
0.2
200
A
Notes :
9. TAVAV = Read cycle time.
10. CS1 = Vcc or CS2 = CS1 = GND, Vin = Gnd/Vcc, this parameter is only tested at Vcc = 2 V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SMKR-29C516E-31SB | CMOS SERIES, 16-BIT ERROR DETECT AND CORRECT CKT, TRUE OUTPUT, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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