參數(shù)資料
型號(hào)： SI9750
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： In-Rush Current Limit MOSFET Driver
中文描述： 在浪涌電流限制MOSFET驅(qū)動(dòng)器
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 184K
代理商： SI9750
Si9750
Vishay Siliconix
S-60752—Rev. C, 05-Apr-99
2
FaxBack 408-970-5600, request 70028
www.siliconix.com
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltages Referenced to Ground
V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
Boost Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 V
Inputs/Outputs
(except Gate, Boost and V
RST
) . . . . . . . . . . . . . . .-0.3 to V
DD
+ 0.3 V
V
RST
Input Current (0 < V
RST
< 15 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20 mA
Inputs/Outputs Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20 mA
RESET Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 mA
STATUS Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 mA
Storage Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 to 125
°
C
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
°
C
Power Dissipation (package)
a
16-Pin SOIC
b
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900 mW
Thermal Impedance (
Θ
JA
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
°
C/W
Notes
a. Device mounted with all leads soldered or welded to PC board.
b. Derate 7.2 mW/
°
C above 25
°
C.
* Exposure to Absolute Maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability. Stresses above Absolute Maximum rating may cause
permanent damage. Functional operation at conditions other than the operating conditions specified is not implied. Only one Absolute Maximum rating should be
applied at any one time
SPECIFICATIONS
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
2.9 V
≤
V
≤
13.2 V
HI/LO = GND, R
BIAS
= 12.5 k
L
BOOST
= 100
μ
H, C
BOOST
= 100 nF
Limits
0 to 70
°
C
Unit
Min
a
Typ
b
Max
a
Supply
Quiescent Current
Logic
I
Q
ENABLE = Logic Low
4
8
mA
Enable Turn-On Voltage
V
EN(on)
V
EN(off)
I
ENSRC
t
ON
t
OFF
t
ON(BST)
t
OFF(ISC)
t
OFF(SC)
V
STAT
t
STDLY
V
STATTHR
V
HILO(on)
V
HILO(off)
0.3 x V
DD
V
Enable Turn-Off Voltage
0.7 x V
DD
40
Enable Source Current
V
ENABLE
= 0V
120
μ
A
Turn-On Time
See Figure 3.
5
μ
s
Turn-Off Time
5
Turn-On Boost
See Figure 4.
600
t
OFF
Initial Short Circuit
t
OFF
Short Circuit
Status Output Voltage
C
GATE
= 33 nF, See Figure 6.
C
GATE
= 33 nF, See Figure 7.
I
SINK
= 200
μ
A
See Figure 8.
10
2
0.4
V
Status Output Delay Time
μ
s
Status Threshold
0.85 x V
DD
0.7 x V
DD
0.95 x V
DD
V
HI/LO Turn-On Voltage
HI/LO Turn-Off Voltage
Gate Drive
0.3 x V
DD
Enhancement Voltage
(V
GATE
- V
SENSE
)
Source Current
V
GS
8.5
10.5
15
V
I
SOURCE
I
SINK
V
CBOOST
= 9 V
1.06
1.30
1.54
mA
Sink Current
1.6
2.6
3.7
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