參數(shù)資料
型號： SI9428DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： SI9428DY
Si9428DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 70810
S-03950—Rev. C, 26-May-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
-
r
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
T
J
- Temperature ( C)
Time (sec)
P
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
-50
0
50
100
150
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 6 A
I
D
= 250 A
0.2
0.4
10
0.6
0.8
1.0
1.2
1
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
0.01
0
0.1
48
60
12
24
36
1
10
30
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
20
V
V
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
=
70
C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
相關PDF資料
PDF描述
SI9428DY-T1 N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9430DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9430DY Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Si9434BDY P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI9434DY P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI9428DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SOIC N T/R
SI9430DT-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
SI9430DY 功能描述:MOSFET 20V 5.8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9430DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI9433BDY 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8
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