| 型號(hào): | SI9430DY |
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi): | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述: | Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述: | 5800 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝: | SOIC-8 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
| 文件大小: | 267K |
| 代理商: | SI9430DY |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| Si9434BDY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| SI9434DY | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| SI9436DY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI9529DY | Dual N- and P-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET |
| Si9706DY | PC Card (PCMCIA) Interface Switch(PC卡(PCMCIA)接口開(kāi)關(guān)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SI9433BDY | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8 |
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| SI9433BDY-E3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI9433BDY-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |