參數(shù)資料
型號(hào)： SI9428DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 38K
代理商： SI9428DY
Si9428DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70810
S-03950—Rev. C, 26-May-03
www.vishay.com
1
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.03 @ V
GS
= 4.5 V
6
0.04 @ V
GS
= 2.5 V
5.2
S
D
D
S
D
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
1
D
1
G
1
S
1
S
G
Ordering Information:
Si9428DY
Si9428DY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
6
T
A
= 70 C
4.8
A
Pulsed Drain Current
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
S
1.7
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 25 C
P
D
2.5
W
T
A
= 70 C
1.6
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
50
C/W
Steady State
70
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9428DY-T1 N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9430DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9430DY Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Si9434BDY P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI9434DY P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9428DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SOIC N T/R
SI9430DT-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
SI9430DY 功能描述:MOSFET 20V 5.8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9430DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI9433BDY 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8
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