參數(shù)資料
型號： SI9428DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： SI9428DY
Si9428DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70810
S-03950—Rev. C, 26-May-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
-
V
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
-
r
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
)
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
0
50
100
150
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
5
10
15
20
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-55 C
V
GS
= 2.5 V
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 4.5 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 4.5, 4, 3.5, 3, 2.5 V
1.5 V
2 V
1, 0 V
25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9428DY-T1 N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9430DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9430DY Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Si9434BDY P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI9434DY P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9428DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SOIC N T/R
SI9430DT-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
SI9430DY 功能描述:MOSFET 20V 5.8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9430DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
SI9433BDY 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SO-8
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