參數(shù)資料
型號： SI7844DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Ch MOSFET plus Schottky diode,
中文描述： 雙N溝道MOSFET帶肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： SI7844DP
Si7844DP
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71328
S-02456
—
Rev. A, 06-Nov-00
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
10
–
3
10
–
2
10
–
1
10
–
5
10
–
4
0
60
100
20
40
P
Single Pulse Power
Time (sec)
80
–
0.8
–
0.6
–
0.4
–
0.2
–
0.0
0.2
0.4
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
–
Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 60 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
1
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1
10
0.01
0.001
0.1
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PDF描述
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