參數(shù)資料
型號(hào)： SI7844DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Ch MOSFET plus Schottky diode,
中文描述： 雙N溝道MOSFET帶肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 46K
代理商： SI7844DP
Si7844DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71328
S-02456
—
Rev. A, 06-Nov-00
www.vishay.com
3
–
r
D
)
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200
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800
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6
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18
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8
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V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 10 A
I
D
–
Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
C
–
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
–
Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 10 A
20
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SI7844DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 10A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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