參數(shù)資料
型號(hào)： SI7705DN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： SI7705DN
Si7705DN
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71607
S-22520
—
Rev. B, 27-Jan-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 935 A
0.8
1.2
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
1
2
3
4
5
0.01
10
100
I
D
= 6.3 A
0
0.2
0.4
0.6
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
0
0.001
10
50
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
30
40
0.1
600
1
0.01
20
1.0
10
100
0.1
1
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
10
- 3
10
- 2
1
10
600
10
- 1
10
- 4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 75 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
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PDF描述
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