參數(shù)資料
型號(hào)： SI7478DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： SI7478DP
Document Number: 72913
S-51566-Rev. B, 07-Nov-05
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
Si7478DP
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless noted
On-Resistance vs. Drain Current
Gate Charge
Source-Drain Diode Forward Voltage
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0
10
20
30
40
50
60
V
GS
= 10 V
-
r
D
I
D
-
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
V
DS
= 30 V
I
D
= 20 A
-
Q
g
-
Total Gate Charge (nC)
V
G
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
60
10
1
-
I
S
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0
2000
4000
6000
8000
10000
0
10
20
30
40
50
60
C
oss
C
iss
V
DS
-
Drain-to-Source Voltage (V)
C
-
C
rss
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-
50
-
25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
-
Junction Temperature (
C)
r
D
-
(
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0
2
4
6
8
10
-
r
D
)
V
GS
-
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= 20 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7478DP-T1-E3 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7485DP P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7485DP-T1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7491DP P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si7501DN N- and p-channel VDS = 30 V pair
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7478DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7478DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7483ADP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7483ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 24A 5.4W 5.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7483ADP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 24A 5.4W 5.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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