參數資料
型號： SI7478DP-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數： 4/5頁
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代理商： SI7478DP-T1-E3
www.vishay.com
4
Document Number: 72913
S-51566-Rev. B, 07-Nov-05
Vishay Siliconix
Si7478DP
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless noted
Threshold Voltage
- 1.0
- 0.8
- 0.6
- 0.4
- 0.2
- 0.0
0.2
0.4
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250
μ
A
V
V
G
T
J
- Temperature (
C)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
0.01
0
10
80
100
20
600
0.1
Time (sec)
60
40
P
1
100
Safe Operating Area
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25
C
Single Pulse
-
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
10-
3
10-
2
1
10
600
10-
1
10-
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 52
C/W
3. T
JM
-
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
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PDF描述
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參數描述
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SI7483DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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