參數(shù)資料
型號(hào): SI7461DP-T1-E3
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述: P通道60 - V(下局副局長(zhǎng))MOSFET的
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商: SI7461DP-T1-E3
Si7461DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72567
S-40411—Rev. C, 15-Mar-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7464DP N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7478DP N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7478DP-T1-E3 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7485DP P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7485DP-T1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7461DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7462DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
SI7462DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7462DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7463ADP-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:FET P-CH 40V 16.6A PPAK 8SOIC 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET