參數(shù)資料
型號(hào)： SI7461DP-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
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代理商： SI7461DP-T1-E3
Si7461DP
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72567
S-40411—Rev. C, 15-Mar-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
0.01
0
10
80
100
20
100
0.1
Single Pulse Power, Juncion-To-Ambient
Time (sec)
60
40
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 52 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
r
DS(on)
Limited
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SI7478DP N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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SI7485DP-T1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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參數(shù)描述
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SI7462DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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