參數(shù)資料
型號(hào)： SI6466
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： SI6466
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
100% R
g
Tested
Si6466ADQ
Vishay Siliconix
Document Number: 71182
S-31725—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
1
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
8.1
0.020 @ V
GS
= 2.5 V
6.6
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
D
G
S*
N-Channel MOSFET
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
Ordering Information: Si6466ADQ-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
8.1
6.8
T
A
= 70 C
6.6
5.4
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.35
0.95
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.5
1.05
W
T
A
= 70 C
1.0
0.67
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
65
83
Steady State
100
120
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
43
52
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6467BDQ HEATSINK D-PAK3 TIN PLATED SMD
SI6467DQ P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
SI6469DQ P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6473DQ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI6475DQ P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6466ADQ_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6466ADQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 8.1A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6466ADQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 8.1A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6466ADQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 8.1A 1.5W 14mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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