參數(shù)資料
型號(hào)： SI6469DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： SI6469DQ
Si6469DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70858
S-60717—Rev. A, 01-Feb-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
8
0.028 @ V
GS
= –4.5 V
0.031 @ V
GS
= –3.3 V
0.040 @ V
GS
= –2.5 V
0.065 @ V
GS
= –1.8 V
6.0
–8
5.8
5.0
3.6
Si6469DQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
S
G
D
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–8
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
6.0
A
T
A
= 70 C
5.0
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
DM
I
S
30
–1.25
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
1.5
W
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
83
C/W
Steady State
95
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
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PDF描述
SI6473DQ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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SI65 SMT Power Inductor
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SI6469DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6469DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 6.0A 1.5W 28mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6473DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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