參數(shù)資料
型號： SI6473DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 55K
代理商： SI6473DQ
Si6473DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71164
S-01042—Rev. B, 15-May-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.0125 @ V
GS
= –4.5 V
–9.5
–20
0.016 @ V
GS
= –2.5 V
–8.5
0.0215 @ V
GS
= –1.8 V
–7.3
Si6473DQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
S*
G
D
P-Channel MOSFET
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
–9.5
–6.2
A
T
A
= 70 C
–5.9
–4.9
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
–30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–1.5
–0.95
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.75
1.08
W
T
A
= 70 C
1.14
0.69
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
55
70
C/W
Steady State
95
115
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
35
45
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
SI6475DQ P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI65-151 SMT Power Inductor
SI65 SMT Power Inductor
SI65-100 SMT Power Inductor
SI65-101 SMT Power Inductor
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參數(shù)描述
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