型號: | SI6467BDQ |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | HEATSINK D-PAK3 TIN PLATED SMD |
中文描述: | P通道的1.8 V(GS)的MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大?。?/td> | 53K |
代理商: | SI6467BDQ |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI6467DQ | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
SI6469DQ | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
SI6473DQ | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
SI6475DQ | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
SI65-151 | SMT Power Inductor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI6467BDQ_05 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
SI6467BDQ-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 8.0A 1.05W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI6467BDQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI6467BDQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 8.0A 1.5W 12.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI6467DQ | 功能描述:MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |