參數(shù)資料
型號(hào)： SI6467DQ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 9200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： SI6467DQ
Si6467BDQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72087
S-22382—Rev. A, 30-Dec-02
www.vishay.com
1
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.0125 @ V
GS
= -4.5 V
-8.0
-12
0.0155 @ V
GS
= -2.5 V
- 7.0
0.020 @ V
GS
= -1.8 V
- 6.0
Si6467BDQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
S*
G
D
P-Channel MOSFET
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-12
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
- 8.0
-6.8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
-6.5
-5.4
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
-30
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.35
-0.95
T
A
= 25 C
1.5
1.05
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
1.0
0.67
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
65
83
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
100
120
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
43
52
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6469DQ P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6473DQ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI6475DQ P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI65-151 SMT Power Inductor
SI65 SMT Power Inductor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6467DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6469DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI6469DQT1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
SI6469DQ-T1 功能描述:MOSFET 8V 6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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