參數(shù)資料
型號(hào)： SI5975DC-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 103K
代理商： SI5975DC-T1
Si5975DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-2
Document Number: 71320
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
_
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= --1 mA
--0.45
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
--1
m
A
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 85
_
C
--5
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V, I
D
= --3.1 A
--10
A
0.070
0.086
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= --2.5 V, I
D
= --2.5 A
0.100
0.127
V
GS
= --1.8 V, I
D
= --1.0 A
0.131
0.164
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= --5 V, I
D
= --3.1 A
8
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= --0.9 A, V
GS
= 0 V
--0.8
--1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
5.7
9
Gate-Source Charge
Q
gs
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V, I
D
= --3.1 A
1.2
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
1.2
Turn-On Delay Time
t
d(on)
10
15
Rise Time
t
r
V
= --6 V, R
= 6
I
D
--1 A, V
GEN
= --4.5 V, R
G
= 6
20
30
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
31
45
ns
Fall Time
t
f
26
40
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= --0.9 A, di/dt = 100 A/
m
s
40
60
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
≤
300
m
s, duty cycle
≤
2%.
Guaranteed by design, not subject to production testing.
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
= 5 thru 2.5 V
T
C
= --55
_
C
125
_
C
25
_
C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
1.5 V
2 V
1 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5XX-EVB EVALUATION BOARD FOR Si53X XOS AND Si55X VCXOS
Si6423DQ P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6542DQ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI6562DQ N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6801DQ SPICE Device Model Si6801DQ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI5975DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 4.1A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5975DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:TrenchFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5980DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5997DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5999EDU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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