參數(shù)資料
型號(hào)： Si4946EY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： 雙N溝道60五（副），175葷MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： SI4946EY-T1
Si4946EY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-4
Document Number: 70157
S-03950—Rev. D, 26-May-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
30
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Single Pulse Power
Time (sec)
P
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
30
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
10
20
I
D
= 4.5 A
I
D
= 250
μ
A
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
-
r
D
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
T
J
- Temperature ( C)
V
V
G
T
J
= 25 C
T
J
= 175 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4947ADY Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4947ADY-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4947DY Dual P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET
SI4948EY Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
Si4948BEY-E3 Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4946EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 4.5A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4947ADY 功能描述:MOSFET 30V 3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4947ADY_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4947ADY-E3 功能描述:MOSFET 30V 3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4947ADY-T1 功能描述:MOSFET 30V 3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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