參數(shù)資料
型號(hào)： Si4946EY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： 雙N溝道60五（副），175葷MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： SI4946EY-T1
Si4946EY
Vishay Siliconix
Document Number: 70157
S-03950—Rev. D, 26-May-03
www.vishay.com
2-1
Dual N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
60
0.055 @ V
GS
= 10 V
4.5
0.075 @ V
GS
= 4.5 V
3.9
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
D
G
S
N-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4946EY
Si4946EY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
60
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.5
T
A
= 70 C
3.8
A
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.4
W
T
A
= 70 C
1.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
62.5
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4947ADY Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4947ADY-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4947DY Dual P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET
SI4948EY Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
Si4948BEY-E3 Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4946EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 4.5A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4947ADY 功能描述:MOSFET 30V 3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4947ADY_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4947ADY-E3 功能描述:MOSFET 30V 3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4947ADY-T1 功能描述:MOSFET 30V 3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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