參數(shù)資料
型號(hào)： SI4936DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 5.8 A, 30 V, 0.037 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： SI4936DY
Si4936ADY
Vishay Siliconix
Document Number: 71132
S-31989—Rev. B, 13-Oct-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
200
400
600
800
1000
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
6
12
18
24
30
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 5.9 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
I
D
= 5.9 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
T
J
= 25 C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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