參數(shù)資料
型號： SI4940DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道40 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： SI4940DY
TrenchFET Power MOSFET
Automotive Airbags
Si4940DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71649
S-04277—Rev. B, 16-Jul-01
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.036 @ V
GS
= 10 V
0.059 @ V
GS
= 4.5 V
5.7
40
4.4
SO-8
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
G
2
S
2
N-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
40
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
5.7
4.2
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
4.5
3.4
Pulsed Drain Current
I
DM
30
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.8
0.9
T
A
= 25 C
2.1
1.1
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
1.3
0.7
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
50
60
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
28
34
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
SI4942DY Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4943DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4943BDY-E3 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4943BDY-T1-E3 RJZ Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 24V; Power: 2W; 2W Single and Dual Outputs in DIP 14; 3kVDC and 4kVDC Isolation; Optional Continuous Short Circuit Protected; Custom Solutions Available; UL94V-0 Package Material; Efficiency up to 85%
SI4944DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
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SI4940DY-T1 功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4940DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4940DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4941EDY-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 30V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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