參數(shù)資料
型號： SI4924DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大小： 67K
代理商： SI4924DY
Si4924DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71163
S-03950—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
7
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
CHANNEL2
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
2
1
0.1
0.01
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
100
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 82 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4924DY-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4925BDY-T1-E3 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY-E3 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4924DY-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Asymetrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY 功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4925BDY-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4925BDY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
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