參數(shù)資料
型號(hào)： SI4924DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 67K
代理商： SI4924DY
Si4924DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71163
S-03950—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
CHANNEL1
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
6
12
18
24
30
On-Resistance vs. Drain Current
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0
6
12
18
24
30
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
200
400
600
800
1000
0
6
12
18
24
30
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
6
12
18
24
30
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
V
GS
= 10 thru 4 V
T
C
= 125 C
-55 C
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.3 A
V
GS
= 10 V
I
D
3 V
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
1 V
2 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4924DY-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4925BDY-T1-E3 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY-E3 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925BDY-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4925 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI4925 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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SI4925BDY-E3 功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4925BDY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
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