參數(shù)資料
型號： SI4828DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 83K
代理商： SI4828DY
Si4828DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71181
S-00983—Rev. A, 15-May-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
1
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
Channel-1
30
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
0.0135 @ V
GS
= 10 V
0.0175 @ V
GS
= 4.5 V
7.5
6.5
Channel-2
9.8
8.5
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
G
2
S
2
G
1
S
1
D
2
D
2
N-Channel 2
MOSFET
N-Channel 1
MOSFET
D
1
D
1
Parameter
Symbol
b l
Channel-1
Channel-2
U i
Unit
10 secs
Steady State
10 secs
Steady State
Drain-Source Voltage
V
DS
V
GS
30
V
Gate-Source Voltage
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
I
D
7.5
5.8
9.8
7.5
A
6
4.6
7.8
6
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
DM
I
S
30
40
1.8
1.06
1.8
1.06
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
2
1.17
2
1.17
W
1.78
0.75
1.28
0.75
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
b l
Channel-1
Channel-2
U i
Unit
Typ
Max
Typ
Max
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
55
62.5
53
62.5
C/W
Steady-State
89
107
89
107
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady-State
R
thJC
36
45
34
42
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
Si4831DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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SI4830-A20-GU 功能描述:IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 接收器 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 09/Jan/2012 標準包裝:50 系列:* 頻率:850MHz ~ 2.175GHz 靈敏度:- 數(shù)據(jù)傳輸率 - 最大:- 調(diào)制或協(xié)議:- 應(yīng)用:* 電流 - 接收:* 數(shù)據(jù)接口:PCB，表面貼裝 存儲容量:- 天線連接器:PCB，表面貼裝 特點:- 電源電壓:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:40-WFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:40-TQFN-EP（6x6） 包裝:托盤
SI4830ADY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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