參數(shù)資料
型號(hào)： Si4831DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： P通道30 - V的肖特基二極管（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
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代理商： SI4831DY
Si4831DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71061
S-61859—Rev. A, 10-Oct-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–30
0.045 @ V
GS
= –10 V
0.090 @ V
GS
= –4.5 V
5
3.5
V
KA
(V)
V
f
(V)
Diode Forward Voltage
I
F
(A)
30
0.53 V @ 3 A
3
K
A
S
G
D
P-Channel MOSFET
A
K
A
K
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage (MOSFET)
V
DS
V
KA
–30
V
Reverse Voltage (Schottky)
30
Gate-Source Voltage (MOSFET)
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C) (MOSFET)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
5
A
T
A
= 70 C
3.9
Pulsed Drain Current (MOSFET)
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)
a, b
I
DM
I
S
I
F
I
FM
20
–1.7
Average Foward Current (Schottky)
3
Pulsed Foward Current (Schottky)
20
Maximum Power Dissipation (MOSFET)
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
2
W
1.28
Maximum Power Dissipation (Schottky)
a, b
1.83
1.17
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec.
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PDF描述
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