參數(shù)資料
型號(hào)： SI4820DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： SI4820DY-T1
Si4820DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70806
S-03950—Rev. F, 26-May-03
www.vishay.com
2-1
N-Channel Reduced Q
g
, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.0135 @ V
GS
= 10 V
0.020 @ V
GS
= 4.5 V
10
8
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
D
G
S
D
D
S
S
Ordering Information:
Si4820DY
Si4820DY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
10
T
A
= 70 C
8
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
50
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
S
2.3
Maximum Power Dissipation
T
A
= 25 C
P
D
2.5
W
T
A
= 70 C
1.6
Operating Junction and Storage Temperature Range (MOSFET and Schottky)
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient (MOSFET)
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
t
10 sec
R
thJA
50
C/W
Steady State
70
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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