參數(shù)資料
型號(hào)： Si4812DY-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： SI4812DY-T1-E3
Si4812DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71775
S-41426—Rev. G, 26-Jul-04
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
30
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 85 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (Schottky)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4814BDY Dual N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
SI4814BDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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SI4814BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4814DY 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4814DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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