參數(shù)資料
型號： Si4812DY-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： SI4812DY-T1-E3
Si4812DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71775
S-41426—Rev. G, 26-Jul-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
DS
= 15 V
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
I
D
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
0
300
600
900
1200
1500
1800
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
10
20
30
40
50
V
GS
= 10 thru 5 V
T
C
= 125 C
55 C
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
3 V
25 C
4 V
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4814BDY Dual N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4814DY Dual N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si4816BDY Dual N-Channel MOSFET, 30V(D-S) , with Schottky Diode
SI4816DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4816DY-E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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參數(shù)描述
SI4814BDY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4814BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 10/10.5A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4814BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 10/10.5A 18mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4814DY 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4814DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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