參數(shù)資料
型號： Si4812DY-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： SI4812DY-T1-E3
Si4812DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71775
S-41426—Rev. G, 26-Jul-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
0.01
10
20
30
40
50
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
P
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power (MOSFET)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (MOSFET)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
Time (sec)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
2
1
0.1
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
10
100
600
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 9.0 A
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 72 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
50
1
0.1
10
600
100
10
1
0.1
1
125
150
0.0001
1
20
10
Reverse Current (Schottky)
T
J
Junction Temperature ( C)
I
R
0
25
50
75
100
10 V
0.001
0.01
0.1
20 V
30 V
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PDF描述
SI4814BDY Dual N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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SI4814DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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