型號: | SI4539DY |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
中文描述: | 7 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | SO-8 |
文件頁數(shù): | 1/7頁 |
文件大?。?/td> | 65K |
代理商: | SI4539DY |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SI4544DY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI4558DY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI4559EY | N-Channel 60-V (D-S), 175∑C MOSFET |
SI4562DY | N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
Si4565DY | N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI4539DY_Q | 功能描述:MOSFET SO8 COMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4539DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4539DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
SI4539DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 5.9/4.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4542 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V Complementary PowerTrench MOSFET |