參數(shù)資料
型號(hào)： SI4559EY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S), 175∑C MOSFET
中文描述： N溝道60五（副），175ΣCMOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： SI4559EY
Si4559EY
Vishay Siliconix
Document Number: 70167
S-57253—Rev. D, 24-Feb-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel 60-V (D-S), 175
°
C MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
N-Channel
60
0.055 @ V
GS
= 10 V
4.5
0.075 @ V
GS
= 4.5 V
3.9
P-Channel
–60
0.120 @ V
GS
= –10 V
3.1
0.150 @ V
GS
= –4.5 V
2.8
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
1
D
1
G
1
S
1
S
2
G
2
D
2
D
2
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
60
–60
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.5
3.1
A
T
A
= 70 C
3.8
2.6
Pulsed Drain Current
I
DM
30
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.0
–2.0
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.4
W
T
A
= 70 C
1.7
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
N- or P- Channel
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
62.5
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
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