參數(shù)資料
型號： SI4558DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： N和P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： SI4558DY
Si4558DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70633
S-56944—Rev. E, 23-Nov-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
N-Channel
30
0.040 @ V
GS
= 10 V
6
0.060 @ V
GS
= 4.5 V
4.8
P-Channel
–30
0.040 @ V
GS
= –10 V
6
0.070 @ V
GS
= –4.5 V
4.4
S
1
D
G
1
D
S
2
D
G
2
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
2
G
2
G
1
S
1
D
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
–30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
20
Continuous Drain Current
(T
= 150 C)
J
a
T
A
= 25 C
I
D
6
6
A
T
A
= 70 C
4.7
4.7
Pulsed Drain Current
I
DM
30
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2
–2
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.4
W
T
A
= 70 C
1.5
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
N- or P- Channel
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
52
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI4558DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 6A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI4559ADY_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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