參數(shù)資料
型號(hào)： SI4486EY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： SI4486EY
Si4486EY
Vishay Siliconix
Document Number: 71234
S-03951—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
2-1
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
100
0.025 @ V
GS
= 10 V
0.028 @ V
GS
= 6.0 V
7.9
7.5
SO-8
S
D
S
D
S
D
G
D
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
D
G
S
N-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si4486EY
Si4486EY-T1 (with Tape and Reel)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
100
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
7.9
5.4
T
A
= 85 C
6.1
4.2
A
Pulsed Drain Current
I
DM
40
Avalanche Current
L = 0 1 mH
L = 0.1 mH
I
AR
30
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
1%)
E
AR
45
mJ
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
3.1
1.5
A
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
3.8
1.8
W
T
A
= 85 C
2.3
1.1
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 175
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
33
40
Steady State
70
85
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
17
21
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4493DY P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4505DY N- and P-Channel MOSFET
Si4511DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:18; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:9; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
SI4511DY P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
Si4511DY-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4486EY_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4486EY-E3 功能描述:MOSFET 100V 7.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4486EY-T1 功能描述:MOSFET 100V 7.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4486EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 7.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4486EY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET SO-8 100V 25MOHM AT 10V - L
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