參數(shù)資料
型號(hào)： SI3851DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Single P-Channel MOSFET with integrated Schottky;
中文描述： 單P溝道MOSFET，集成肖特基;
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： SI3851DV
Si3851DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70978
S-61845—Rev. A, 11-Oct-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–30
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.360 @ V
GS
= –4.5 V
1.8
1.2
V
KA
(V)
V
f
(v)
Diode Forward Voltage
I
F
(A)
30
0.5 V @ 0.5 A
0.5
K
A
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
D
G
N/C
S
K
A
S
G
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage (MOSFET and Schottky)
V
DS
V
KA
–30
V
Reverse Voltage (Schottky)
30
Gate-Source Voltage (MOSFET)
V
GS
20
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C) (MOSFET)
a
T
A
= 25 C
I
D
1.8
1.6
A
T
A
= 70 C
1.5
1.2
Pulsed Drain Current (MOSFET)
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)
a
I
DM
I
S
I
F
I
FM
7
–1.05
–0.75
Average Foward Current (Schottky)
0.5
Pulsed Foward Current (Schottky)
7
Maximum Power Dissipation (MOSFET)
a
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
1.15
0.83
W
0.73
0.53
Maximum Power Dissipation (Schottky)
a
1.0
0.76
0.64
0.48
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si3853DV Single P-Channel MOSFET with integrated Schottky;
SI3865DV HTSK/D2PAK SM TO-252
SI3867DV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI3900DV Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3909DV Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3851DV_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI3851DV-T1 功能描述:MOSFET 30V 1.8A 1.15W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3851DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 1.8A 1.15W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3851DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3853DV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
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