參數(shù)資料
型號： SI3850DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
中文描述： 互補(bǔ)MOSFET的半橋（N溝道和P溝道）
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： SI3850DV
Si3850DV
Vishay Siliconix
Document Number: 70778
S-55457—Rev. B, 09-Mar-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
N-Channel
20
0.500 @ V
GS
= 4.5 V
0.750 @ V
GS
= 3.0 V
1.00 @ V
GS
= –4.5 V
1.30 @ V
GS
= –3.0 V
1.2
1.0
P-Channel
–20
0.85
0.75
S
2
G
2
G
1
S
1
D
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
G
1
G
2
D
S
1
S
2
D
Parameter
Symbol
N-Channel
P-Channel
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
GS
20
–20
V
Gate-Source Voltage
12
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
I
D
1.2
0.85
A
0.95
0.65
Pulsed Drain Current
I
DM
I
S
3.5
2.5
Continuous Source Current (Diode Conduction)
1
–1
Maximum Power Dissipation
(S f
(Surface Mounted on FR4 Board)
t d
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
1.25
W
0.8
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
N- or P- Channel
Unit
Maximum Junction-to-Ambient (Surface Mounted on FR4 Board,
10 sec)
R
thJA
100
C/W
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3851DV Single P-Channel MOSFET with integrated Schottky;
Si3853DV Single P-Channel MOSFET with integrated Schottky;
SI3865DV HTSK/D2PAK SM TO-252
SI3867DV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI3900DV Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3850DV-T1 功能描述:MOSFET 20V 1.2/0.85A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3851DV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI3851DV_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI3851DV-T1 功能描述:MOSFET 30V 1.8A 1.15W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3851DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 1.8A 1.15W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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