參數(shù)資料
型號(hào)： SI3588DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
中文描述： P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大小： 59K
代理商： SI3588DV
Si3588DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71332
S-02383—Rev. A, 23-Oct-00
www.vishay.com
1
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.080 @ V
GS
= 4.5 V
3.0
N-Channel
20
0.100 @ V
GS
= 2.5 V
2.6
0.128 @ V
GS
= 1.8 V
2.3
0.145 @ V
GS
= –4.5 V
–2.2
P-Channel
–20
0.200 @ V
GS
= –2.5 V
–1.8
0.300 @ V
GS
= –1.8 V
–1.5
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
D2
G2
S1
S2
D1
G1
N-Channel
P-Channel
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
3.0
2.5
–2.2
–0.57
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
2.3
2.0
–1.8
–1.5
Pulsed Drain Current
I
DM
8
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.05
0.75
–1.05
–0.75
T
A
= 25 C
1.15
0.83
1.15
0.083
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
0.73
0.53
0.73
0.53
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
93
110
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
130
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
90
90
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3831DV Bi-Directional P-Channel MOSFET/Power Switch
SI3850DV Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)
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