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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI3220PPT0-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 80/112頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL W/SI3200 INTERFACE |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 主要目的： | 接口，模擬前端（AFE） |
| 已用 IC / 零件： | Si3220 |
| 已供物品： | 板，CD |
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Si3220/25 Si3200/02
Rev. 1.3
7
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
VDD Supply Current
(Si3200/2)
IVDD
Sleep mode, RESET = 0
—
110
—
A
Open (high-impedance)
—
110
—
A
Active on-hook standby
—
110
—
A
Forward/reverse active off-hook,
ABIAS = 4 mA, VBAT = –24 V
—110
—
A
Forward/reverse OHT, OBIAS = 4 mA,
VBAT = –70 V
—110
—
A
Ringing, VRING =45Vrms,
VBAT =–70 V,
Sine Wave, 1 REN load
—110
—
A
VBAT Supply Current
(Si3200/2)
IVBAT
Sleep mode, RESET=0,
VBAT = –70 V
—
100
—
A
Open (high-impedance),
VBAT = –70 V
—
189
—
A
Active on-hook standby,
VBAT = –70 V
—
517
—
A
Forward/reverse active off-hook,
ABIAS = 4 mA, VBAT = –24 V
—
4.5 +
ILIM
—mA
Forward/reverse OHT, OBIAS = 4 mA,
VBAT = –70 V
—8.6
—
mA
Ringing, VRING =45Vrms,
VBAT =–70 V,
Sine Wave, 1 REN load2
—6.5
—
mA
Table 3. 3.3 V Power Supply Characteristics1 (Continued)
(VDD, VDD1 – VDD4 = 3.3 V, TA = 0 to 70 °C for K/F-Grade, –40 to 85 °C for B/G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Notes:
1. All specifications are for a single channel based on measurements with both channels in the same operating state.
2. See "3.14.4. Ringing Power Considerations" on page 54 for current and power consumption under other operating
conditions.
3. Power consumption does not include additional power required for dc loop feed. Total system power consumption must
include an additional (VDD + |VBAT|) x ILOOP term.
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參數(shù)描述 |
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