參數(shù)資料
型號(hào)： SI1900DL
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 42K
代理商： SI1900DL
Si1900DL
Vishay Siliconix
Document Number: 71251
S-21374—Rev. C, 12-Aug-02
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.480 @ V
GS
= 10 V
0.700 @ V
GS
= 4.5 V
0.63
30
0.52
Marking Code
PB
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
S
1
G
1
D
2
D
1
G
2
S
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
0.63
0.59
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
0.45
0.43
Pulsed Drain Current
I
DM
1.0
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
0.25
0.23
T
A
= 25 C
0.30
0.27
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
0.16
0.14
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
360
415
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
400
460
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
300
350
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1901DL P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI1902DL Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1903DL Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI1905DL Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1906DL N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI1900DL-T1 功能描述:MOSFET 30V 0.63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1900DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 0.63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1901DL 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1901DL-T1 功能描述:MOSFET 20V 0.18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1902CDL 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
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