參數(shù)資料
型號(hào)： SI1902DL
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： SI1902DL
Si1902DL
Vishay Siliconix
Document Number: 71080
S-21374—Rev. E, 12-Aug-02
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.385 @ V
GS
= 4.5 V
0.630 @ V
GS
= 2.5 V
0.70
20
0.54
Marking Code
PA
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
S
1
G
1
D
2
D
1
G
2
S
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
0.70
0.66
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
0.50
0.48
Pulsed Drain Current
I
DM
1.0
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
0.25
0.23
T
A
= 25 C
0.30
0.27
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
0.16
0.14
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
360
415
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
400
460
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
300
350
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1903DL Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI1905DL Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1906DL N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1907DL Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1913EDH Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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