參數(shù)資料
型號： SI1906DL
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 43K
代理商： SI1906DL
Si1906DL
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71305
S-01885—Rev. A, 28-Aug-00
www.vishay.com
1
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(mA)
20
2.0 @ V
GS
= 4.5 V
2.5 @ V
GS
= 2.5 V
250
150
Marking Code
PC
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
SOT-363
SC-70 (6-Leads)
S
1
1
3
G
1
2
D
2
6
4
5
D
1
G
2
S
2
Top View
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
250
T
A
= 70 C
200
mA
Pulsed Drain Current
I
DM
500
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
0.20
W
0.13
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
625
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1907DL Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1913EDH Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1913DH Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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Si2301BD P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI1907DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 0.56A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1912EDH 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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