參數(shù)資料
型號(hào)： SI1913DH
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： SI1913DH
TrenchFET Power MOSFETS: 1.8-V Rated
ESD Protected: 3000 V
Thermally Enhanced SC-70 Package
Load Switching
PA Switch
Level Switch
Si1913EDH
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71415
S-03175—Rev. A, 05-Mar-01
www.vishay.com
1
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.490 @ V
GS
= –4.5 V
–1.0
–20
0.750 @ V
GS
= –2.5 V
–0.81
1.10 @ V
GS
= –1.8 V
–0.67
Marking Code
DA
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
D
S
G
3 k
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
S
1
G
1
D
2
D
1
G
2
S
2
D
S
G
3 k
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
–1.0
–0.88
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
–0.72
–0.63
Pulsed Drain Current
I
DM
–3
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
–0.61
–0.48
T
A
= 25 C
0.74
0.57
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
0.38
0.30
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
130
170
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
170
220
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
80
100
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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Si1913DH-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
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