參數(shù)資料
型號(hào)： SI1903DL
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 44K
代理商： SI1903DL
Si1903DL
Vishay Siliconix
Document Number: 71081
S-21374—Rev. B, 12-Aug-02
www.vishay.com
2-1
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.995 @ V
GS
= -4.5 V
0.44
-20
1.190 @ V
GS
= -3.6 V
0.40
1.80 @ V
GS
= -2.5 V
0.32
Marking Code
QA
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
S
1
G
1
D
2
D
1
G
2
S
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-20
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
0.44
0.41
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
0.31
0.30
Pulsed Drain Current
I
DM
1.0
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
-0.25
-0.23
T
A
= 25 C
0.30
0.27
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
0.16
0.14
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
360
415
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
400
460
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
300
350
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1905DL Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1906DL N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1907DL Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1913EDH Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1913DH Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI1903DL_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI1903DL-T1 功能描述:MOSFET 20V 0.44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1903DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1903DL-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI1903DL-T1-GE3 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:TrenchFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*