參數(shù)資料
型號(hào)： SI1905DL
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： SI1905DL
Si1905DL
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71082
S-99188—Rev. A, 01-Nov-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.600 @ V
GS
= –4.5 V
0.60
–8
0.850 @ V
GS
= –2.5 V
0.50
1.200 @ V
GS
= –1.8 V
0.42
Marking Code
QB
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
S
1
G
1
D
2
D
1
G
2
S
2
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–8
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
0.60
0.57
A
T
A
= 85 C
0.43
0.41
Pulsed Drain Current
I
DM
1.0
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
–0.25
–0.23
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
0.30
0.27
W
T
A
= 85 C
0.16
0.14
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
5 sec
R
thJA
360
415
C/W
Steady State
400
460
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
300
350
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1906DL N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1907DL Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1913EDH Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1913DH Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2301ADS P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI1905DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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