參數(shù)資料
型號(hào)： SI1551DL
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complementary 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 補(bǔ)充20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI1551DL
Si1551DL
Vishay Siliconix
Document Number: 71255
S-21374—Rev. B, 12-Aug-02
www.vishay.com
1
Complementary 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
1.9 @ V
GS
= 4.5 V
0.30
N-Channel
20
3.7 @ V
GS
= 2.7 V
0.22
4.2 @ V
GS
= 2.5 V
0.21
0.995 @ V
GS
= -4.5 V
-0.44
P-Channel
-20
1.600 @ V
GS
= -2.7 V
-0.34
1.800 @ V
GS
= -2.5 V
-0.32
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
S
1
G
1
D
2
D
1
G
2
S
2
Marking Code
RD
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
N-Channel
P-Channel
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
-20
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
0.30
0.29
- 0.44
-0.41
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
0.22
0.21
-0.31
-0.30
Pulsed Drain Current
I
DM
0.6
-1.0
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
0.25
0.23
-0.25
-0.23
T
A
= 25 C
0.30
0.27
0.30
0.27
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
0.16
0.14
0.16
0.14
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
360
415
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
400
460
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
300
350
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1563DH Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET
Si1563EDH Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET
SI1900DL Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI1901DL P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI1902DL Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI1551DL_05 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI1551DL_08 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI1551DL_10 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20 V (D-S) MOSFET
SI1551DL-S6-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:20V COMPLEMENTARY TRENCH - Tape and Reel
SI1551DL-T1 功能描述:MOSFET 20V 0.3/0.44 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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