參數(shù)資料
型號： SI1417EDH
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： SI1417EDH
Si1417EDH
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71412
S-03187
—
Rev. A, 05-Mar-01
www.vishay.com
5
10
–
3
10
–
2
1
10
10
–
1
10
–
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1426DH Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI1555DL Complementary Low-Threshold MOSFET Pair
SI1917EDH Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI2302ADS N-Channel MOSFET, 20V(D-S)
Si2302ADS-T1 N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI1417EDH_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI1417EDH-T1 功能描述:MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1417EDH-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 3.3A 1.56W 85 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1417EDH-T1-GE3 功能描述:MOSFET P-CH 12V SC-70-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SI1419DH 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 200-V (D-S) MOSFET
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